Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
583 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQJQ580E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
587 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
ISC018N08NM6SCATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
587 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
R6038XNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 600V 38A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
588 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQJQ190E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | AUTOMOTIVE N-CHANNEL 200 V (D-S)
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
590 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RS7L200CHTB1 | Rohm Semiconductor | NCH 60V 270A, DFN5060-8S, POWER
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
590 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RS7L200CGTB1 | Rohm Semiconductor | NCH 60V 275A, DFN5060-8S, POWER
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
602 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RS7P150BHTB1 | Rohm Semiconductor | NCH 100V 150A, DFN5060-8S, POWER
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
604 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
R6061XNXC7G | Rohm Semiconductor | 600V 26A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
610 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVMFWS0D4N04XMET1G | onsemi | 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
613 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVBYST001N08XTXG | onsemi | MOSFET N-CH 80V 467A 16TCPAK
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
618 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQJQ190ER-T1_GE3 | Vishay Siliconix | AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80-V (D-S)
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
632 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
R6055WNJ3TBDC | Rohm Semiconductor | 600V 55A DFN8080-5L, HIGH-SPEED
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
636 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
AIMBF170R450M1XTMA1 | Infineon Technologies | AUTOMOTIVE COOLSIC MOSFET 1700 V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
641 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
R6061XNJ3TBDC | Rohm Semiconductor | 600V 61A DFN8080-5L, HIGH-SPEED
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
644 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVMFS5C410NET3G | onsemi | T6-40V N 0.92 MOHMS SL
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
644 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVMFS5C410NLET3G | onsemi | T6 40V SO8FL
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
650 руб.
Производитель: Diotec Semiconductor
Количество на складе: 0
DI170SIC850D7 | Diotec Semiconductor | SIC MOSFET, TO-263-7L, N, 7A, 17
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
655 руб.
Производитель: EPC
Количество на складе: 0
EPC2370 | EPC | 15V, 101A, 0.28M, 3.3X3.3MM PQFN
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
667 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
BUK7T1R4-100LJ | Nexperia USA Inc. | BUK7T1R4-100L/SOT8005A/CCPAK12
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
667 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
BUK7A1R3-100LJ | Nexperia USA Inc. | BUK7A1R3-100L/SOT8000A/CCPAK12
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
669 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
R6059WNJ3TBDC | Rohm Semiconductor | 600V 59A DFN8080-5L, HIGH-SPEED
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
681 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIEH3812EW-T1-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
700 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIEH3114EW-T1-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOS
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
702 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMTH10H1M5STTW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов