Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
492 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NTBL050N65GN1TXG | onsemi | GAN FET, 650V, 39M, TOLL
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
492 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NTLEF3D6N20GN1TWG | onsemi | GAN FET 200V, 2.9M, 5X6 LGA
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
492 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NTBT050N65GN1TXG | onsemi | GAN FET, 650V, 39M, TOLT
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
504 руб.
Производитель: Diotec Semiconductor
Количество на складе: 0
DIJ006N90 | Diotec Semiconductor | MOSFET, ITO-220AB, N, 900V, 6A,
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
504 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
R6049XNXC7G | Rohm Semiconductor | 600V 22A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
515 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQJQ181EL-T1_GE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
523 руб.
Производитель: Wolfspeed, Inc.
Количество на складе: 0
E3M0160120U2-TR | Wolfspeed, Inc. | SIC, MOSFET,160M,1200V, TSC (U2)
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
528 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
ISC009N06NM6SCATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
528 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
R6049XNJ3TBDC | Rohm Semiconductor | 600V 49A DFN8080-5L, HIGH-SPEED
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
537 руб.
Производитель: STMicroelectronics
Количество на складе: 0
SGT140R70ILB | STMicroelectronics | 700 V, 106 MOHM TYP., 17 A, E-MO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
538 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IPF009N10NM8ATMA1 | Infineon Technologies | IPF009N10NM8ATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
541 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1 | Infineon Technologies | IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
547 руб.
Производитель: SMC Diode Solutions
Количество на складе: 0
S4M0200075DA1 | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 750V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
547 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IPT009N10NM8ATMA1 | Infineon Technologies | IPT009N10NM8ATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
551 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIRS4600EPW-T1-RE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
560 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
PSMN1R8-80SSEJ | Nexperia USA Inc. | PSMN1R8-80SSE/SOT1235/LFPAK88
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
560 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
PSMN1R9-80SSJJ | Nexperia USA Inc. | PSMN1R9-80SSJ/SOT1235/LFPAK88
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
561 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
PSMN2R3-100SSJJ | Nexperia USA Inc. | PSMN2R3-100SSJ/SOT1235/LFPAK88
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
561 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
PSMN2R2-100SSEJ | Nexperia USA Inc. | PSMN2R2-100SSE/SOT1235/LFPAK88
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
565 руб.
Производитель: Navitas Semiconductor, Inc.
Количество на складе: 0
NVG025A08TC | Navitas Semiconductor, Inc. | GANFET DISCRETE 80V 2.5MOHM PQFN
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
565 руб.
Производитель: Navitas Semiconductor, Inc.
Количество на складе: 0
NVG037A12TC | Navitas Semiconductor, Inc. | GANFET DISCRETE 120V 3.7MOHM PQF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
567 руб.
Производитель: Navitas Semiconductor, Inc.
Количество на складе: 0
NV6026C | Navitas Semiconductor, Inc. | GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
576 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIHH150N60E-T1-FE3 | Vishay Siliconix | E SERIES POWER MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
583 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RS7G200CHTB1 | Rohm Semiconductor | NCH 40V 445A, DFN5060-8S, POWER
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов