Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
285 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
IRFR420TRLPBF-BE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 500V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
285 руб.
Производитель: Renesas Electronics Corporation
Количество на складе: 0
TP70H135G4PLSGB-TR | Renesas Electronics Corporation | 700V, 135MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
285 руб.
Производитель: Renesas Electronics Corporation
Количество на складе: 0
TP70H130G4PLSG-TR | Renesas Electronics Corporation | 700V, 130MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
288 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQJ181ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
289 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
SPD15P10PLGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
293 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIR690DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
293 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIR690DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
294 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
SPD30P06PGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
296 руб.
Производитель: Renesas Electronics Corporation
Количество на складе: 0
TP70H130G4PPS | Renesas Electronics Corporation | 700V, 130MOHM GAN FET IN TO-220
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
296 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
R6020XNXC7G | Rohm Semiconductor | 600V 12A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
297 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVMFS5C450NET1G-YE | onsemi | T6-D3F 40V NFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
297 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVMJST3D3N08XTXG | onsemi | T10 80V SG TCPAK 5X7
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
302 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVMJD020N08HTWG | onsemi | T8 80V N-CH LFPAK56 DUALS PACKAG
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
304 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVMJST2D8N08XTXG | onsemi | T10 80V SG TCPAK 5X7
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
305 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQJA36EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
306 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIR680ADP-T1-UE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
306 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIR178DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
306 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIR178DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
308 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQJ160ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80-V (D-S)
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
312 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RD3L08CBKHRBTL | Rohm Semiconductor | NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
312 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
AG090FLD3HRBTL | Rohm Semiconductor | NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
312 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIR626LDP-T1-BE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
316 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIR680LDP-T1-BE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
321 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
R6020XNJ3TBDC | Rohm Semiconductor | 600V 20A DFN8080-5L, HIGH-SPEED
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов