Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
421 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVMFS5C426NET1G-YE | onsemi | T6-D3F 40V NFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
422 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IPT014N10NM8ATMA1 | Infineon Technologies | IPT014N10NM8ATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
422 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NTLEF1D0N10GN1TWG | onsemi | GAN FET 100V, 0.8M, 5X6 LGA
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
424 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
ENGNTLEF5D0N10GN1TXG | onsemi | GAN FET 100V, 3.8M, 5X6 LGA
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
428 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
ISC025N08NM6SCATMA1 | Infineon Technologies | ISC025N08NM6SCATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
430 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
R6038XNXC7G | Rohm Semiconductor | 600V 18A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
434 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
R6038XNX3C16 | Rohm Semiconductor | 600V 38A TO-220AB, HIGH-SPEED SW
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
440 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
AG045FLS4FRATCB | Rohm Semiconductor | NCH 60V 120A, HPLF5060T5LSAH, PO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
441 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
R6035WNJ3TBDC | Rohm Semiconductor | 600V 35A DFN8080-5L, HIGH-SPEED
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
441 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
GANC070-650TBHZ | Nexperia USA Inc. | GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
453 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
R6038XNJ3TBDC | Rohm Semiconductor | 600V 38A DFN8080-5L, HIGH-SPEED
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
457 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQM120N04-1M7_JE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
461 руб.
Производитель: Navitas Semiconductor, Inc.
Количество на складе: 0
NVG033A10T | Navitas Semiconductor, Inc. | GANFET DISCRETE 100V 3.3MOHM PQF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
468 руб.
Производитель: Diotec Semiconductor
Количество на складе: 0
DIT110P06 | Diotec Semiconductor | MOSFET, TO-220AB, P, 60V, 110A,
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
471 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
GANC070-650WSHQ | Nexperia USA Inc. | GANC070-650WSH/SOT429-6/TO247-3
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
476 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
GANC070-650UTHZ | Nexperia USA Inc. | GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
477 руб.
Производитель: Navitas Semiconductor, Inc.
Количество на складе: 0
NVG033A10TC | Navitas Semiconductor, Inc. | GANFET DISCRETE 100V 3.3MOHM PQF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
478 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IPB013N10NM8ATMA1 | Infineon Technologies | IPB013N10NM8ATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
483 руб.
Производитель: Navitas Semiconductor, Inc.
Количество на складе: 0
NV6048C | Navitas Semiconductor, Inc. | GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
483 руб.
Производитель: Navitas Semiconductor, Inc.
Количество на складе: 0
NV6048C-RA | Navitas Semiconductor, Inc. | GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
485 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
R6035VNJ3TBDC | Rohm Semiconductor | 600V 35A DFN8080-5L, HIGH-SPEED
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
488 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
ISC031N08NM6SCATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
491 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMTH4M72SPGWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
492 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NTLEF2D2N15GN1TWG | onsemi | GAN FET 150V, 1.6M, 5X6 LGA
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов